氨基吡啶咪唑酮类衍生物在制备抗肿瘤药物中... 申请号：CN201810318991.6 专利类型：发明申请 公开（公告）日：2018-04-11
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本发明提供了一种氨基吡啶咪唑酮类衍生物在制备抗肿瘤药物中的应用，其中，所述氨基吡啶咪唑酮类衍生物具有如下通式(I)结构：其中，R1为C1‑3烷基、芳环、芳基杂环或氢原子；R2为C1‑3烷基、烷氧基或氢原子；R3为O‑烷基甲肟、O‑烷基羟胺、噁二唑环、三氟甲基取代的噁二唑环、C1‑5烷基取代的噁二唑环、C1‑5烷基取代的咪唑环、C1‑5烷基取代的三氮唑环、C1‑5烷基取代的噻二唑环、N‑羟基甲酰胺、...
氨基六元环类衍生物及其在医药上的应用 申请号：CN201510261370.5 专利类型：发明授权 公开（公告）日：2015-05-21
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本发明涉及一种氨基六元环类衍生物及其在医药上的应用，具体而言涉及通式(I)所示的氨基六元环类衍生物或其立体异构体、药学上可接受的盐、前药、含有该衍生物的药物组合物以及在制备二肽基肽酶IV(DPP‑IV)抑制剂的医药上的用途，其中通式(I)中各取代基的定义与说明书的定义相同。
氨基保护基氯甲酸苄酯的制备方法 申请号：CN201811073775.6 专利类型：发明申请 公开（公告）日：2018-09-14
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本发明涉及一种氨基保护基氯甲酸苄酯的制备方法，属于精制医药中间体技术领域。所述的制备方法，包括以下步骤：1.在氮气气氛保护下，在‑10‑0℃下于有机溶剂中溶解三光气后，滴加苯甲醇和缚酸剂的混合物，滴加时间控制在1‑3h，滴加完毕后继续反应4‑6h；2.升温至10‑30℃下反应5‑10h；3.反应结束后用氮气将产生的过量光气和氯化氢气体赶走，得到反应产物氯甲酸苄酯。本发明所提供的制备方法，科学合理，...
氨噻肟酸环合甲醇母液的处理方法 申请号：CN201811487307.3 专利类型：发明申请 公开（公告）日：2018-12-06
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本发明涉及一种母液的处理方法，具体涉及一种氨噻肟酸环合甲醇母液的处理方法。采用的技术方案为：环合甲醇母液经静置分层、减压回收、脱色、过滤、减压浓缩、离心、降温结晶、离心等，达到处理目的。本发明的处理方法能够避免异味的产生，流程简单，并可回收环合酯及醋酸钠，废水循环利用，降低能耗(回收成本可节约200元/t)，提高效益(提高了3％)，减轻废水处理压力，保证生产的正常运行。
氨代谢促进剂 申请号：CN201880036763.8 专利类型：发明申请 公开（公告）日：
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本发明提供一种具有优异的氨代谢改善作用、持久力提高、对抗疲劳等有效的原料。以儿茶素类和鸟氨酸为有效成分的氨代谢促进剂。以儿茶素类和鸟氨酸为有效成分的持久力提高剂。以儿茶素类和鸟氨酸为有效成分的抗疲劳剂。以儿茶素类和鸟氨酸为有效成分的运动中的血糖值降低的抑制剂。以儿茶素类和鸟氨酸为有效成分的从因运动导致的血糖值降低的恢复的促进剂。以儿茶素类和鸟氨酸为有效成分的运动中的肌肉糖原降低的抑制剂。以儿茶素类...
氨代谢促进剂 申请号：CN201880036769.5 专利类型：发明申请 公开（公告）日：
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本发明提供一种促进体内的氨代谢的原料、以及具有优异的氨代谢改善作用、对持久力提高和抗疲劳有效的原料。以儿茶素类为有效成分的氨代谢促进剂。以儿茶素类为有效成分的高氨血症、肝性脑病或慢性疲劳综合征的预防或改善剂。以儿茶素类、瓜氨酸和精氨酸为有效成分的氨代谢促进剂、持久力提高剂和抗疲劳剂。
氨代谢促进剂 申请号：CN201880036763.8 专利类型：发明申请 公开（公告）日：
状态：寻求转化 转让价格：面议
本发明提供一种具有优异的氨代谢改善作用、持久力提高、对抗疲劳等有效的原料。以儿茶素类和鸟氨酸为有效成分的氨代谢促进剂。以儿茶素类和鸟氨酸为有效成分的持久力提高剂。以儿茶素类和鸟氨酸为有效成分的抗疲劳剂。以儿茶素类和鸟氨酸为有效成分的运动中的血糖值降低的抑制剂。以儿茶素类和鸟氨酸为有效成分的从因运动导致的血糖值降低的恢复的促进剂。以儿茶素类和鸟氨酸为有效成分的运动中的肌肉糖原降低的抑制剂。以儿茶素类...
氨代谢促进剂 申请号：CN201880036769.5 专利类型：发明申请 公开（公告）日：
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本发明提供一种促进体内的氨代谢的原料、以及具有优异的氨代谢改善作用、对持久力提高和抗疲劳有效的原料。以儿茶素类为有效成分的氨代谢促进剂。以儿茶素类为有效成分的高氨血症、肝性脑病或慢性疲劳综合征的预防或改善剂。以儿茶素类、瓜氨酸和精氨酸为有效成分的氨代谢促进剂、持久力提高剂和抗疲劳剂。
氧氯化铈宽禁带半导体材料的用途与制备方法 申请号：CN201610415195.5 专利类型：发明申请 公开（公告）日：
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本发明公开了一种氧氯化铈宽禁带半导体材料的用途及其制备方法，所述用途为在制作蓝紫光发光器件中的应用，其化学组成式为CeOCl，空间群为P4/nmm，其晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝2。其制备方法主要步骤包括：将反应前躯体氯化铈和氧化镁混合制得的混合物预压制成体块；将上述制成的体块反应物放置到高压合成块中；将上述制得的高压合成块置于压机合成腔体中进行合成反应，合成温度不低于1300℃，压力不低于...
氧氯化铈宽禁带半导体材料的用途与制备方法 申请号：CN201610415195.5 专利类型：发明授权 公开（公告）日：
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本发明公开了一种氧氯化铈宽禁带半导体材料的用途及其制备方法，所述用途为在制作蓝紫光发光器件中的应用，其化学组成式为CeOCl，空间群为P4/nmm，其晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝2。其制备方法主要步骤包括：将反应前躯体氯化铈和氧化镁混合制得的混合物预压制成体块；将上述制成的体块反应物放置到高压合成块中；将上述制得的高压合成块置于压机合成腔体中进行合成反应，合成温度不低于1300℃，压力不低于...
