一种反相液相色谱法检测雷替曲塞对映异构体... 申请号：CN201710593087.1 专利类型：发明授权 公开（公告）日：
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本发明公开了一种反相液相色谱法检测雷替曲塞对映异构体的方法，以十八烷基硅烷键合硅胶为固定相，以体积百分含量为40‑44％的甲醇水溶液为流动相，且1L该流动相中添加4‑6mL的三乙醇胺作为手性拆分试剂。本发明提供的方法可有效将雷替曲塞和其对映异构体分离，分离度大于1.5。本发明方法基于反相液相色谱，成熟通用，不存在现有技术中正相液相色谱和毛细管电泳的缺陷。
一种反渗透膜及其制备方法和应用 申请号：CN201610921389.2 专利类型：发明授权 公开（公告）日：
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本发明涉及分离膜领域，公开了一种反渗透膜及其制备方法和应用。所述反渗透膜包括依次层叠的支撑层、分离层和耐污染层，所述分离层由交联的聚酰胺形成，所述耐污染层由交联的海藻酸盐与聚乙二醇通过络合作用形成。本发明提供的反渗透膜在聚酰胺分离层上采用交联的海藻酸盐与聚乙二醇通过络合作用形成耐污染层，能够使得到的反渗透膜兼具有良好的脱盐率和耐污染性能。此外，本发明提供的反渗透膜的制备方法简单，极具工业应用前景。
一种反渗透膜及其制备方法和应用 申请号：CN201610922133.3 专利类型：发明授权 公开（公告）日：
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本发明涉及分离膜领域，公开了一种反渗透膜及其制备方法和应用。所述反渗透膜包括依次层叠的支撑层、分离层和耐污染层，所述分离层由交联的聚酰胺形成，所述耐污染层由聚乙二醇形成。本发明提供的反渗透膜在聚酰胺分离层上采用聚乙二醇形成耐污染层，能够使得到的反渗透膜具有良好的耐污染性能和较高的脱盐率。此外，本发明提供的反渗透膜的制备方法简单，极具工业应用前景。
一种反渗透膜及其制备方法和应用 申请号：CN201610921389.2 专利类型：发明授权 公开（公告）日：
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本发明涉及分离膜领域，公开了一种反渗透膜及其制备方法和应用。所述反渗透膜包括依次层叠的支撑层、分离层和耐污染层，所述分离层由交联的聚酰胺形成，所述耐污染层由交联的海藻酸盐与聚乙二醇通过络合作用形成。本发明提供的反渗透膜在聚酰胺分离层上采用交联的海藻酸盐与聚乙二醇通过络合作用形成耐污染层，能够使得到的反渗透膜兼具有良好的脱盐率和耐污染性能。此外，本发明提供的反渗透膜的制备方法简单，极具工业应用前景。
一种反渗透膜及其制备方法和应用 申请号：CN201610922133.3 专利类型：发明授权 公开（公告）日：
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本发明涉及分离膜领域，公开了一种反渗透膜及其制备方法和应用。所述反渗透膜包括依次层叠的支撑层、分离层和耐污染层，所述分离层由交联的聚酰胺形成，所述耐污染层由聚乙二醇形成。本发明提供的反渗透膜在聚酰胺分离层上采用聚乙二醇形成耐污染层，能够使得到的反渗透膜具有良好的耐污染性能和较高的脱盐率。此外，本发明提供的反渗透膜的制备方法简单，极具工业应用前景。
一种反极性AlGaInP四元LED芯片的... 申请号：CN201810687267.0 专利类型：发明申请 公开（公告）日：
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本发明涉及一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，包括步骤如下：(1)在衬底上依次生长重掺N型层、量子阱层、P型层；(2)粗化P型层的表面；(3)在P型层的表面制备透明导电薄膜或复合薄膜；(4)在透明导电薄膜或复合薄膜上制备玻璃层；(5)去除衬底，(6)刻蚀重掺N型层、量子阱层、P型层，露出对应P电极的透明导电薄膜或复合薄膜；(7)在露出的透明导电薄膜或复合薄膜上制备P电极，在重掺N型层...
一种反极性AlGaInP四元LED芯片的... 申请号：CN201810687267.0 专利类型：发明申请 公开（公告）日：
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本发明涉及一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，包括步骤如下：(1)在衬底上依次生长重掺N型层、量子阱层、P型层；(2)粗化P型层的表面；(3)在P型层的表面制备透明导电薄膜或复合薄膜；(4)在透明导电薄膜或复合薄膜上制备玻璃层；(5)去除衬底，(6)刻蚀重掺N型层、量子阱层、P型层，露出对应P电极的透明导电薄膜或复合薄膜；(7)在露出的透明导电薄膜或复合薄膜上制备P电极，在重掺N型层...
一种反晃动的反应釜进料过滤装置 申请号：CN201911065141.0 专利类型：发明申请 公开（公告）日：
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本发明涉及反应釜装置领域，具体的说是一种反晃动的反应釜进料过滤装置，包括罐体、密封盖、搅拌结构、进料结构、加热结构、防沉淀结构和支撑结构；通过搅拌结构的设置，能够对加入罐体内部的原料进行充分的搅拌，从而能够加快原料的反应速率，缩短所需材料成品的时间，且在搅拌结构进行工作的同时，能够同步带动进料结构进行工作，能够对加入罐体内部的原料进行充分的过滤，避免大颗粒杂质进入罐体的内部，且通过进料结构的设置，...
一种反晃动的反应釜进料过滤装置 申请号：CN201911065141.0 专利类型：发明申请 公开（公告）日：
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本发明涉及反应釜装置领域，具体的说是一种反晃动的反应釜进料过滤装置，包括罐体、密封盖、搅拌结构、进料结构、加热结构、防沉淀结构和支撑结构；通过搅拌结构的设置，能够对加入罐体内部的原料进行充分的搅拌，从而能够加快原料的反应速率，缩短所需材料成品的时间，且在搅拌结构进行工作的同时，能够同步带动进料结构进行工作，能够对加入罐体内部的原料进行充分的过滤，避免大颗粒杂质进入罐体的内部，且通过进料结构的设置，...
一种反式甘草酸的制备方法 申请号：CN201711200175.7 专利类型：发明申请 公开（公告）日：
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本发明以市售的甘草酸二铵为原料，加酸进行中和得到甘草酸，根据顺式甘草酸和反式甘草酸在溶剂中的溶解度不同，用丙酮或丁酮进行重结晶，顺式甘草酸留在母液中，反式甘草酸在溶剂中析出，过滤即可制得高纯度的反式甘草酸，本发明解决了甘草酸立体异构体不容易分离的关键技术，具有工艺重现性好，操作简单，绿色环保，所得产品的纯度高的特点，适合工业化大生产。
