一种埃索美拉唑镁的制备方法 申请号：CN201510121344.2 专利类型：发明授权 公开（公告）日：
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本发明涉及化学合成领域，具体涉及一种质子泵抑制剂(PPI)原料药合成新工艺，特别涉及一种埃索美拉唑镁的制备方法。本发明采用5‑甲氧基‑2‑巯基苯并咪唑和2‑氯甲基‑3, 5‑二甲基‑4‑甲氧基吡啶盐酸盐为起始原料，经过缩合、不对称氧化、成盐来制备埃索美拉唑镁，湿品直接用水和甲醇精制，中间体无需结晶、过滤和干燥，简化了操作步骤，缩短了生产周期，减少了处理过程中的物料损失和能源消耗，提高了收率，实现了...
一种埃索美拉唑镁晶型化合物及其制备方法 申请号：CN201610767662.0 专利类型：发明授权 公开（公告）日：
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本发明属于医药技术领域。具体地说，本发明涉及埃索美拉唑镁晶型化合物。所述的埃索美拉唑镁化合物的结构式如下：所述的埃索美拉唑镁晶型化合物使用Cu‑Ka射线测量得到的X‑射线粉末衍射谱图如图1所示。本发明提供的埃索美拉唑镁是一种不同于现有技术的新晶型化合物，该新晶型化合物水溶性增大，采用本发明的埃索拉唑镁新晶型化合物制得的制剂较现有技术相比具有较好的生物利用度。
一种埃米银口服液及其制备方法与其在治疗胃... 申请号：CN201811497405.5 专利类型：发明申请 公开（公告）日：
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本发明公开了一种埃米银口服液及其制备方法与其在治疗胃癌中的应用，所述埃米银口服液由埃米级单质银粉末、药用蔗糖、高纯度蒸馏水制备而成，具体步骤如下：将埃米级单质银粉末加入高纯度蒸馏水中，得到埃米银溶液；对埃米银溶液进行分散处理；向分散后的埃米银溶液中加入药用蔗糖，并再次进行分散处理；将分散后的埃米银溶液进行加热灭菌，自然冷却，得到埃米银口服液。本发明的埃米银注射液具有显著抑制胃癌细胞的增殖和迁移能力...
一种埃博霉素生物合成基因转录调控蛋白及其... 申请号：CN201811545363.8 专利类型：发明申请 公开（公告）日：
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本发明公开了一种埃博霉素生物合成基因转录调控蛋白及其制备方法。本发明首次采用生物素标记埃博霉素生物合成基因启动子P3钓取的方法获得So ce M4埃博霉素生物合成基因簇的转录调控蛋白，并采用EMSA实验验该转录调控蛋白的功能。所得新型埃博霉素生物合成基因簇转录调控蛋白可为纤维堆囊菌埃博霉素生物合成转录调控及埃博霉素生物合成基因簇的异源表达奠定分子生物学基础，从而促进埃博霉素的高效生物合成及埃博霉素...
一种埃博拉病毒灭活消毒清洁装置 申请号：CN201821322255.X 专利类型：实用新型 公开（公告）日：
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本实用新型涉及一种埃博拉病毒灭活消毒清洁装置，包括移动支架，移动支架包括底架、中间架、顶架和前侧架，顶架上置放有带流量阀的两个储液桶，前侧架上置放有自动补给水箱以及空气歧管，储液桶通过一三通管和一输导管连接自动补给水箱的底部，底架上设有双计时器、电磁阀和压力调整开关，双计时器串接电磁阀，电磁阀并接压力调整开关，压力调整开关连接空气歧管，空气歧管上设有万向喷嘴组，储液桶内分别储放不同浓度的含氯消毒液...
一种埃博拉病毒灭活消毒清洁装置 申请号：CN201821322255.X 专利类型：实用新型 公开（公告）日：
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本实用新型涉及一种埃博拉病毒灭活消毒清洁装置，包括移动支架，移动支架包括底架、中间架、顶架和前侧架，顶架上置放有带流量阀的两个储液桶，前侧架上置放有自动补给水箱以及空气歧管，储液桶通过一三通管和一输导管连接自动补给水箱的底部，底架上设有双计时器、电磁阀和压力调整开关，双计时器串接电磁阀，电磁阀并接压力调整开关，压力调整开关连接空气歧管，空气歧管上设有万向喷嘴组，储液桶内分别储放不同浓度的含氯消毒液...
一种垂直提升装置 申请号：CN201920641876.2 专利类型：实用新型 公开（公告）日：
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本实用新型公开了一种垂直提升装置，包括机壳、电机、顶轮、底轮、传动链、畚斗、进料口和出料口，在机壳内还设置一套清料装置，清料装置包括基座、固定杆、支撑柱、上限位块、下限位块、转轴、弹性连接件以及由毛刷杆和毛刷头组成的毛刷，基座固定在机壳侧壁，固定杆横向固定在基座上，支撑柱竖向连接在机壳底部和固定杆中部，固定杆顶端下侧设置有下限位块，上侧设置有上限位块，固定杆顶端通过转轴连接毛刷杆，毛刷杆顶端连接有...
一种垂直提升装置 申请号：CN201920641876.2 专利类型：实用新型 公开（公告）日：
状态：寻求转化 转让价格：面议
本实用新型公开了一种垂直提升装置，包括机壳、电机、顶轮、底轮、传动链、畚斗、进料口和出料口，在机壳内还设置一套清料装置，清料装置包括基座、固定杆、支撑柱、上限位块、下限位块、转轴、弹性连接件以及由毛刷杆和毛刷头组成的毛刷，基座固定在机壳侧壁，固定杆横向固定在基座上，支撑柱竖向连接在机壳底部和固定杆中部，固定杆顶端下侧设置有下限位块，上侧设置有上限位块，固定杆顶端通过转轴连接毛刷杆，毛刷杆顶端连接有...
一种垂直外腔面发射半导体激光器 申请号：CN201920933294.1 专利类型：实用新型 公开（公告）日：
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本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种半导体激光器。一种垂直外腔面发射半导体激光器结构一种垂直外腔面发射半导体激光器由热沉，蓝宝石衬底，缓冲层，同质结DBR层，势垒层，有源区，隧道结层，电流注入层，窗口层及DBR外腔镜组成。本实用新型提出一种垂直外腔面发射半导体激光器，由外延生长同质结DBR来实现高反射率的外腔镜，无需外腔镜面镀膜工艺，从而能够保证获得高质量的外腔镜材料，能解决外腔镜复杂模系...
一种垂直外腔面发射半导体激光器 申请号：CN201910536512.2 专利类型：发明申请 公开（公告）日：
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本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种半导体激光器。一种垂直外腔面发射半导体激光器结构一种垂直外腔面发射半导体激光器由热沉，蓝宝石衬底，缓冲层，同质结DBR层，势垒层，有源区，隧道结层，电流注入层，窗口层及DBR外腔镜组成。本发明提出一种垂直外腔面发射半导体激光器，由外延生长同质结DBR来实现高反射率的外腔镜，无需外腔镜面镀膜工艺，从而能够保证获得高质量的外腔镜材料，能解决外腔镜复杂模系设计及高...
