专利名称 | 介电结构 | ||
申请号 | CN02153559.0 | 申请日 | |
公开(公告)号 | CN100380540C | 公开(公告)日 | |
申请(专利权)人 | 希普利公司 | 发明人 | C·S·艾伦; M·A·热扎尼克; S·M·凯恩斯 |
专利来源 | 国家知识产权局 | 转化方式 | |
摘要 |
本发明提供特别适用于电容器且具有充分量之能促使导电层镀覆的镀覆掺杂物的多层介电结构,并同时提供形成此种结构的方法。此种介电结构对于其后所施加的导电层会展现出增强的附着力。 |
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