专利名称 | 溶液浸泡法制备超小氢氧化镍纳米片 | ||
申请号 | CN201611200940.0 | 申请日 | |
公开(公告)号 | CN106587176A | 公开(公告)日 | |
申请(专利权)人 | 太原理工大学 | 发明人 | 郭春丽; 毛玉琼; 卫英慧; 侯利锋 |
专利来源 | 国家知识产权局 | 转化方式 | |
摘要 |
本发明属于氢氧化镍纳米材料的制备技术领域,涉及一种采用简单的溶液浸泡法制备高比表面的超小氢氧化镍纳米片的制备方法。本发明所提供的制备高比表面的超小氢氧化镍的方法,与现有技术相比,其优点在于,原料容易获取,而且价格低廉,制备方法简单,所制备的超小氢氧化镍片具有较大的比表面积,作为超级电容器的电极材料,利于电解液中的离子或电子的扩散;使得超小氢氧化镍片在充放电过程中的利用率得到提高,因此超小氢氧化镍片会展现优异的电化学性能。 |
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