本发明属于染料敏化太阳能电池领域，具体提供了一种金属掺杂的低能 隙纳米晶半导体光阳极薄膜的制备方法。该方法是制备低能隙金属掺杂的纳 米二氧化钛粉体和溶胶前驱体，再将上述粉体及溶胶旋涂到导电玻璃基底上， 制备出低能隙掺杂态多孔纳米二氧化钛光阳极薄膜，通过一种两种或多种不 同金属实现对半导体二氧化钛能隙大小及其LUMO能级位置的控制，拓宽了 光阳极薄膜的吸光普带，是阳极在传输电子的同时，也能吸收太阳光，产生 光生电子和空穴，提高太阳光利用率，也提高了光阳极薄膜同染料分子的能 级匹配性能，同时提高了二氧化钛阳极材料的Femi能级，显著地提高了开路 电压，可大大改善电池的光电转换性能，提高太阳能电池的光电转换效率。