一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法是一种发光波长在1.3微米波段的InGaAs量子点结构及其材料制备方法，属于半导体材料制造技术领域。采用外延技术生长各外延层；制备步骤包括：在GaAs衬底上依次生长GaAs过渡层、InxGa1‑xAs过渡层、InAs量子点层、InxGa1‑xAs应变层、GaAs势垒层、GaAs覆盖层；InAs量子点层分两步生长，第一步，生长温度为470~490℃范围内的一个温度，生长厚度为2.0~3.0ML，第二步与第一步在时间上相隔20~60s，在这一时间间隔内将生长温度提升到490~510℃，然后在这一温度范围内的一个温度下继续生长，生长厚度为0.5~1.5ML。该方法制备出1.3微米波段InGaAs量子点材料，具有良好的量子点尺寸均匀性，易于控制，工艺稳定。