本发明公开了一种氧氯化铈宽禁带半导体材料的用途及其制备方法，所述用途为在制作蓝紫光发光器件中的应用，其化学组成式为CeOCl，空间群为P4/nmm，其晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝2。其制备方法主要步骤包括：将反应前躯体氯化铈和氧化镁混合制得的混合物预压制成体块；将上述制成的体块反应物放置到高压合成块中；将上述制得的高压合成块置于压机合成腔体中进行合成反应，合成温度不低于1300℃，压力不低于4GPa，合成反应时间不少于3.0分钟；上述合成反应完结后降温泄压，取出合成产物，用蒸馏水溶解去除副产物，即得到宽禁带半导体CeOCl晶体。本发明的制备方法简单可控，样品结晶良好。