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专利概况
专利名称 一种多糖基温敏性金属离子印迹碳量子点材料的制备方法
申请号 CN201810517851.1 申请日
公开(公告)号 CN108722366A 公开(公告)日
申请(专利权)人 海南大学 发明人 尹学琼; 李治明; 张婷婷; 朱莉
专利来源 国家知识产权局 转化方式 委托人转化
摘要

本发明公开了一种多糖基温敏性金属离子印迹碳量子点材料的制备方法,在多糖基质中加入引发剂、交联剂、功能单体、模板和去离子水,分散均匀,加热搅拌,并且在降温前进行抽滤,得到多糖基温敏性金属离子印迹材料ImPTS;ImPTS经水热反应原位碳化即得到多糖基温敏性金属离子印迹碳量子点材料ImPTS/CD;ImPTS/CD降温脱除模板即可得到多糖基温敏性金属离子印迹碳量子点探针PTS/CD。本发明方法制备的金属离子印迹碳量子点材料具有荧光性和温敏性,且荧光性随温度和印迹金属离子浓度发生变化,可用于进行金属离子的高选择性荧光检测及分离,并且应用过程操作简单、效率高、适用性强。

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