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专利概况
专利名称 Mn-MoS2单层膜光磁材料制备方法
申请号 CN201811562481.X 申请日
公开(公告)号 CN109633933A 公开(公告)日
申请(专利权)人 海南大学 发明人 王洁琼; 丁雷; 曹阳; 张可喜; 涂进春; 王小红
专利来源 国家知识产权局 转化方式 委托人转化
摘要

本发明的目的在于提供Mn‑MoS2单层膜光磁材料制备方法,称取MoO3和MnO2粉末,并加入环己烷,使用行星式球磨机球磨,离心干燥,从而获得均匀混合的MoO3和MnO2粉末;将粉末装入石英管中,采用真空封管装置抽成低真空,放入马弗炉中烧结,从而获得单一相的锰掺杂氧化钼Mn‑MoO3;以Mn‑MoO3为源材料,采用管式炉在氮气气氛下硫化,从而获得锰掺杂二硫化钼Mn‑MoS2单层膜本发明的有益效果是具有高效的光磁之间的直接转换效率。

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