专利名称 | Mn-MoS2单层膜光磁材料制备方法 | ||
申请号 | CN201811562481.X | 申请日 | |
公开(公告)号 | CN109633933A | 公开(公告)日 | |
申请(专利权)人 | 海南大学 | 发明人 | 王洁琼; 丁雷; 曹阳; 张可喜; 涂进春; 王小红 |
专利来源 | 国家知识产权局 | 转化方式 | 委托人转化 |
摘要 |
本发明的目的在于提供Mn‑MoS2单层膜光磁材料制备方法,称取MoO3和MnO2粉末,并加入环己烷,使用行星式球磨机球磨,离心干燥,从而获得均匀混合的MoO3和MnO2粉末;将粉末装入石英管中,采用真空封管装置抽成低真空,放入马弗炉中烧结,从而获得单一相的锰掺杂氧化钼Mn‑MoO3;以Mn‑MoO3为源材料,采用管式炉在氮气气氛下硫化,从而获得锰掺杂二硫化钼Mn‑MoS2单层膜本发明的有益效果是具有高效的光磁之间的直接转换效率。 |
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