专利名称 | 一种常压固相烧结碳化硅膜支撑体及其制备方法 | ||
申请号 | CN201811564686.1 | 申请日 | |
公开(公告)号 | CN109678522A | 公开(公告)日 | |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 黄政仁; 吴海波; 杨丽慧; 刘学建; 陈忠明; 姚秀敏 |
专利来源 | 国家知识产权局 | 转化方式 | 委托人转化 |
摘要 |
本发明涉及一种常压固相烧结碳化硅膜支撑体及其制备方法,该制备方法包括:将亚微米级碳化硅粉或纳米级碳化硅粉中的一种、微米级碳化硅粉、碳粉、烧结助剂和有机粘结剂混合,得到混合粉体,所述亚微米级碳化硅粉或纳米级碳化硅粉中的一种和微米级碳化硅粉的质量比为1:(3~40),优选为1:(3~25);在所得混合粉体中加入塑化剂、润滑剂和水混炼后,得到水基碳化硅泥料;将所得水基碳化硅泥料进行挤出成型并干燥,再升温至1750℃~2200℃烧结,得到所述碳化硅膜支撑体。 |
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