一种利用表面活化剂提高各向异性磁电阻灵敏度的方法，涉及磁性薄膜材料领域。本方法是在清洗干净的单晶硅基片上依次沉积：钽Ta(50~)/氧化铝Al2O3(10~)/铋Bi(2~)/镍铁NiFe(70~)/铋Bi(2~)/氧化铝Al2O3(10~)/钽Ta(50~)，并在磁场下进行低温快速退火。本发明由于采用表面活化剂Bi插入Al2O3与NiFe界面，并进行磁场下低温快速退火，明显降低了NiFe的饱和场，提高了磁场灵敏度，同时降低了生产成本，适用于未来超高灵敏磁电阻传感元件的生产。