| 专利名称 | 深紫外半导体发光二极管的外延结构及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201911367223.0 | 申请日 | |
| 公开（公告）号 | CN111092367A | 公开（公告）日 | 2020-05-01 |
| 申请（专利权）人 | 海南师范大学 | 发明人 | 乔忠良; 赵志斌; 李再金; 任永学; 李林; 曲轶 |
| 专利来源 | 国家知识产权局 | 转化方式 | |
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