专利名称 | 一种电注入GaN垂直腔面发射激光器结构及其制备方法 | ||
申请号 | CN201810080742.8 | 申请日 | |
公开(公告)号 | CN108233176B | 公开(公告)日 | 2020-07-28 |
申请(专利权)人 | 海南师范大学 | 发明人 | 李林; 曾丽娜; 李再金; 赵志斌; 李特; 乔忠良; 任永学; 曲轶; 彭鸿雁 |
专利来源 | 国家知识产权局 | 转化方式 | |
摘要 |
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