专利名称 | 带有五阶梯型量子阱和V型电子阻挡层结构的发光二极管 | ||
申请号 | CN202010480168.2 | 申请日 | |
公开(公告)号 | CN111477729A | 公开(公告)日 | 2020-07-31 |
申请(专利权)人 | 海南师范大学 | 发明人 | 赵志斌; 曲轶; 谢琼涛; 乔忠良; 李林; 李再金; 刘国军 |
专利来源 | 国家知识产权局 | 转化方式 | |
摘要 |
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