本发明为专利“索氟布韦的晶型及其制备方法”的分案申请。本发明公开了索氟布韦的晶型H4以及用于制备这四种晶型的方法。这种索氟布韦新晶型的结构和晶胞参数均采用单晶X‑射线衍射分析加以确定。晶型H4衍射角2θ在5.5°、5.6°、10.0°、10.9°、10.9°、16.6°、19.8°、20.0°、20.4°、25.0°等处具有特征峰。这种新的索氟布韦的晶型分别具有理化性质优良、稳定性好、溶解性好、制备操作简单等优点。