专利名称 | 一种用于工业电子设备的纳米氮化硅粉体的制备方法 | ||
申请号 | CN201811431291.4 | 申请日 | |
公开(公告)号 | CN109535526A | 公开(公告)日 | |
申请(专利权)人 | 徐州帝意电子有限公司 | 发明人 | 季忠勋 |
专利来源 | 国家知识产权局 | 转化方式 | |
摘要 |
一种用于工业电子设备的纳米氮化硅粉体的制备方法,原料组成按重量组分如下:磺化聚乙烯树脂10~15份、氮化硅粉2.5~4.5份、硅粉11~17份、聚苯乙烯3~8份、炭黑13~17份、氧化锌22~25.5份、硬脂酸0.5~1.5份,纳米氮化硅粉体填料耐磨聚乙烯塑料:母料6~13份、填料4.5~7.5份、母液1~3份,本发明不但可以极大地改善高分子材料性能,同时可以简化加工步骤,降低成本,大大改善硅粉材料的性价比,吸附性能好,耐高温、不燃烧,具有优良的绝缘性,化学纯度高,分散性能好,目前作为新型材料广泛应用于电子设备、硅橡胶、医药等诸多工业领域。 |
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