本发明公开一种单手性单壁碳纳米管的制备方法，所述单手性单壁碳纳米管的制备方法如下：(1)合成一系列二维过渡金属硫族化合物(TMDs)催化剂前驱体。(2)将步骤(1)中合成的催化剂前驱体转移在适于单手性单壁碳纳米管生长的单晶生长基底上或者直接在含有TMDs催化剂前驱体的基底上生长单手性单壁碳纳米管。(3)将步骤(2)中的基底进行两次化学气相沉积，即可制备出单手性单壁碳纳米管，以MoS2为催化剂前驱体为例，制备出的单壁碳纳米管中，(13, 12)管含量≥90％，半导体性单壁碳纳米管含量≥95％，密度可达5‑10根/微米，克服了现有制备单手性单壁碳纳米管方法的局限性、多缺陷等问题。该方法在纳电子器件、生物医药和催化合成等高端领域有广阔应用前景。