本发明提供了一种挥发再结晶纯化4‑氰基吡啶的方法，具体包括以下步骤：(1)4‑氰基吡啶熔融：在常压下，将4‑氰基吡啶粗品加入反应器，控制反应器温度，将结晶熔融；(2)挥发：控制反应器温度稳定，利用4‑氰基吡啶饱和蒸气压与杂质的差异，使4‑氰基吡啶挥发；(3)再结晶：挥发形成的4‑氰基吡啶蒸汽进入结晶器，控制结晶器壁温度，在结晶器壁上形成4‑氰基吡啶结晶；(4)提取：在再结晶期间，通过刮刀及时刮取结晶器壁上的结晶，得到4‑氰基吡啶成品，促进再结晶过程。本发明采用提纯4‑氰基吡啶的方法，其生产工艺简单，对设备要求低；制得4‑氰基吡啶步骤少、整体产率、纯度高，无任何副产物污染物，原料利用率超过90％。