本发明涉及一种单晶铟纳米线的制备方法及其产品和应用，本发明以锌片和铟源为前驱体，以硫源为辅助剂，通过控制溶剂热的温度和时间，即可制备出由一层硫化物包裹的单晶铟纳米线。本发明通过溶剂热法大批量制备出单晶铟纳米线的长度为100‑300μm，平均直径约为200nm，具有极高的长径比。并且该制备过程具有简单，安全可靠，无毒无污染，成本较低和可重复性性好等优点。生成的铟纳米线经盐酸腐蚀去掉表面硫化物后，可进一步合成为In2O3，In2S3，InP，InAs等半导体，这些化合物在各种合金的制造、半导体材料的合成、红外线检测器等领域都具有巨大的应用前景。