本发明涉及一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，包括步骤如下：(1)在衬底上依次生长重掺N型层、量子阱层、P型层；(2)粗化P型层的表面；(3)在P型层的表面制备透明导电薄膜或复合薄膜；(4)在透明导电薄膜或复合薄膜上制备玻璃层；(5)去除衬底，(6)刻蚀重掺N型层、量子阱层、P型层，露出对应P电极的透明导电薄膜或复合薄膜；(7)在露出的透明导电薄膜或复合薄膜上制备P电极，在重掺N型层上制备N电极；(8)对玻璃层进行研磨；(9)切割，即得。本发明利用低温玻璃粉，形成出光层，该层既作为基底支撑，又作为光出射层，此工艺方式不需要高压键合，不需要永久基板键合。