本发明涉及半导体技术领域，具体涉及用于半导体研磨和封装的膜材料。用于半导体研磨和封装的膜材料，由上至下依次包括基材膜和胶层；所述基材膜包括依次贴接共挤的第一电晕层、光亮层、抗静电层、芯层、抗氧化层、哑光层、第二电晕层。所述膜材料具有极佳的耐热性、耐老化性、抗静电性、扩张性、耐湿热稳定性和良好的散热能力，同时该膜材料制备原料环保安全，制备工艺简单，可以满足半导体封装工艺和运输中对半导体保护的需求。