专利名称 | 一种无机物基底表面改性的方法 | ||
申请号 | CN201911125082.1 | 申请日 | |
公开(公告)号 | CN110724908A | 公开(公告)日 | |
申请(专利权)人 | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 | 发明人 | 孟尚君; 芮祥新; 李建恒 |
专利来源 | 国家知识产权局 | 转化方式 | |
摘要 |
本发明提供一种无机物基底表面改性的方法,包括依次进行的清洗过程和镀膜过程;所述清洗过程包括采用腔体内等离子体清除无机物基底表面粘附的有机物和/或无机物并激活表面,所述镀膜过程包括采用分子层沉积方式沉积单层改性有机物分子以实现无机物基底表面改性。本发明以气相表面清理和有机薄膜沉积的方法取代原有的浸泡法,有利于达到安全、高效并合理降低排放、减小对环境伤害的目标。 |
主管部门:海南中小企业服务 | 建设单位:海南商业联合会
版权所有:海南商业联合会 | 备案号:粤ICP备13083911号(ICP加挂服务)@2017