专利名称 | 一种非晶态二氧化硅比表面积的测定方法 | ||
申请号 | CN201911236070.6 | 申请日 | |
公开(公告)号 | CN110779849A | 公开(公告)日 | |
申请(专利权)人 | 成都中医药大学 | 发明人 | 张定堃; 韩丽; 柯秀梅; 杨明; 伍振峰 |
专利来源 | 国家知识产权局 | 转化方式 | |
摘要 |
本发明公开了一种非晶态二氧化硅比表面积的测定方法,包括以下步骤:(1)取非晶态SiO2,测定其XRD中2θ值;(2)BET比表面积预测:Y=x 60.71‑1183.94;Langmuir比表面积预测:Y=x 140.43‑2832.16;其中,x为2θ值,Y为BET比表面积和/或Langmuir比表面积。本发明方法省时省力,方便快捷,经济便宜,且无需前处理,具备推广应用的价值。 |
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