专利名称 | 一种强磁场条件下高抗磁沉降性密封用磁性流体的制备方法 | ||
申请号 | CN201911106552.X | 申请日 | |
公开(公告)号 | CN110828094A | 公开(公告)日 | |
申请(专利权)人 | 黑龙江省科学院高技术研究院 | 发明人 | 黄波; 布和巴特尔; 李鹏; 张晓臣; 那宏壮; 隋新 |
专利来源 | 国家知识产权局 | 转化方式 | |
摘要 |
一种强磁场条件下高抗磁沉降性密封用磁性流体的制备方法,它涉及磁性流体的制备方法。它是要解决现有的磁性流体的高磁场下抗磁沉降性低的技术问题。本方法:先制备粒径为5~15纳米的Fe3O4粉;再将其均匀地分散在环己烷中,加入抗氧剂和分散剂对它进行第一次表面修饰与包覆;接着采用双极性液相转移法将已进行表面修饰与包覆的纳米Fe3O4转移到庚烷中,再加入抗氧剂和分散剂对其进行二次表面修饰与包覆,然后将其与金属钝化剂及粘度调节剂加入到合成烃基础油中反应,得到磁性流体。该用磁性流体的饱和磁化强度为498~570GS,在室温1.0T磁场条件下的抗磁沉试验,720小时以上无分离现象。可用于真空密封、阻尼减震领域。 |
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